Группа ученых из Сингапурского Национального университета разработала новую технологию магнитоустойчивой памяти произвольного доступа, которая улучшит хранение информации в электронных системах.
Инновационная технология существенно увеличит объем доступного места для хранения и память, что гарантирует целостность свежих данных даже в случае отключения электроэнергии. На технологию уже подан временный патент.
Группа во главе с доктором Янгом Хьюн Су разработала новую структуру устройства, полезную для следующего поколения чипов магнитоустойчивой памяти произвольного доступа (MRAM), которые потенциально могут применяться для усиления впечатления пользователей в бытовой электронике, включая персональные компьютеры и мобильные устройства, такие как ноутбуки и мобильные телефоны. Новая технология также может применяться в транспортной отрасли, в армейских и авиасистемах, промышленных устройствах управления двигателем и робототехнике, промышленном управлении энергией, а также в медицинской электронике.
«Потребителям больше не придется ждать загрузки компьютеров или ноутбуков. Доступный объем для хранения данных возрастет, а память изменится так, что любые документы не потребуется больше сохранять во время работы во избежание потери данных из-за внезапного отключения электричества. Долговечность устройств памяти составит двадцать и более лет, в то время как современные устройства с тонким магнитным слоем хранят информацию примерно в течение года», прокомментировал разработку доктор Янг. „Если взять, например, мобильные телефоны, то сегодня их требуется подзаряжать едва ли не каждый день при частом использовании. С новой технологией зарядка потребуется лишь раз в неделю“.
Инновация, как ожидается, изменит архитектуру компьютеров, существенно облегчая производство и конечную стоимость, потому что, например, флэш-память более не потребуется. Технология уже заинтересовала ключевых игроков рынка, таких как Samsung, Intel, Toshiba и IBM.
Источник: innovanews
Дайджест инноваций